- El projecte preveu una inversió global de 400 milions d’euros i inclou una sala blanca de 2.000 m² per desenvolupar xips amb materials alternatius al silici.
- El nou centre fomentarà la innovació i la transferència de coneixement entre recerca i empresa, amb especial suport a empreses emergents, pimes i grans empreses.
- El projecte, emmarcat dins del PERTE Xip i el European Chips Act, rebrà finançament europeu i comptarà amb una nova entitat pública per gestionar-ne l’execució i reforçar l’autonomia tecnològica del continent.
El Govern ha aprovat avui l’inici del projecte InnoFAB, una infraestructura capdavantera que convertirà Catalunya en un actor clau en el desenvolupament de semiconductors avançats, amb una sala blanca de darrera generació de 2.000 m2. El projecte preveu la creació d’un centre d’investigació i preproducció de xips que utilitzen materials alternatius al silici, amb aplicacions estratègiques en sectors com l’electrònica, la salut o l’energia.
InnoFAB és una iniciativa estratègica destinada a oferir un entorn únic per a start ups i empreses en l’àmbit dels semiconductors, que potenciï les seves capacitats de fabricació i acceleri l’adopció de noves solucions i productes per a tots els sectors i tipus d’empresa, incloent-hi pimes i gran empresa. Aquesta iniciativa afavorirà la creació d’ocupació científica i tècnica altament qualificada i consolidarà Catalunya com a hub europeu en semiconductors. També reforçarà la translació de coneixement des dels centres de recerca cap al mercat.
Es tracta d’un projecte impulsat pel Departament d’Economia i Finances i el Departament de Recerca i Universitats. Amb una inversió total de 400 milions d’euros, el projecte arranca amb una aportació total de 3,5 milions d’euros en aquest 2025 per posar en marxa la licitació del projecte d’enginyeria.
InnoFAB s’emmarca dins del PERTE Xip i del European Chips Act, dues iniciatives europees que busquen reforçar l’autonomia tecnològica del continent. El projecte comptarà amb finançament europeu a través dels fons NextGenerationEU.
José Antonio Garrido ha estat designat coordinador del grup de treball interdepartamental que impulsarà el desplegament del projecte. És investigador ICREA de l’Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2), un centre reconegut internacionalment per la recerca en materials avançats i membre destacat del programa europeu Graphene Flagship.
L’acord també preveu la creació d’una nova entitat pública de la Generalitat que assumirà l’execució i gestió del projecte, així com la titularitat del centre i dels terrenys on s’ubicarà.
Amb aquest pas, Catalunya fa una aposta clara per liderar l’electrònica del futur, incorporant a l’ecosistema les capacitats de prototipatge de xips a les capacitats actuals en les fases de disseny. Innofab contribuirà a consolidar un ecosistema únic a Espanya i singular a Europa, i reforçarà la seva capacitat d’atracció de talent i d’inversió en un àmbit clau per reduir la bretxa tecnològica a escala global.
